世界首殺！ 三星研發出了10nm FinFET工藝的SRAM

據韓國媒體最新報道，三星半導體目前已經研發出了世界上第一顆基於10nm FinFET工藝的SRAM。其實IBM半導體聯盟早在今年7月就製造了世界首個10nm的晶圓，但由於10nm工藝的技術難題，各大半導體廠家都相繼推遲了它們的10nm 工藝計劃。

所謂的SRAM中文譯名是靜態隨機存取存儲器，大多數用於CPU緩存，基於10nm的SRAM相比於14nm而言，其面積可減少30%左右，這意味着將一定程度的降低CPU的功耗以及發熱，同時可以以更小的面積塞進更多緩存，可提高CPU的性能。

就目前各家的10nm進展而言，IBM的商用10nm工藝最快也要2018年才面世，Intel的10nm也推遲到了2017年，台積電方面曾宣佈將在2017年第一季度量產10nm CPU，而根據三星目前的計劃以及進展，10nm的量產CPU最快可在2016年底實現，也許Galaxy S8還能趕上10nm SoC的首發呢。


資料來源：雷鋒網
作者/編輯：莫昌佑